ഈ പഠനം സമീപകാല ആര്‍ട്ടിക് താപനത്തിന് പിന്നില്‍ മറഞ്ഞിരുന്ന ഒഡിഎസ് എന്ന വില്ലന്റെ സംഭാവനകളെ വെളിച്ചത്ത് കൊണ്ടുവരുന്നു.

ആര്‍ട്ടിക് മേഖലയില്‍ മഞ്ഞുരുകുന്നതിനു പ്രധാന കാരണം ഹരിതഗൃഹ വാതകങ്ങള്‍ മൂലമുണ്ടായ ആഗോളതാപനമാണ്. വ്യാവസായിക വിപ്ലവത്തിന് ശേഷം ഈ ഹരിതഗൃഹ വാതകങ്ങളുടെ അളവ് അന്തരീക്ഷത്തില്‍ ക്രമാതീതമായി വര്‍ദ്ധിച്ചു. ഈ ഹരിതഗൃഹ വാതകങ്ങളില്‍ കാര്‍ബണ്‍ ഡൈ ഓക്‌സൈഡിനാണ് ഏറ്റവും വലിയ പങ്ക്. അത് മാറ്റിവച്ചാല്‍ ഈ മഞ്ഞുരുക്കത്തിന് പിന്നില്‍ പ്രധാന പങ്കു വഹിക്കുന്നത് ഓസോണ്‍ ക്ഷയിപ്പിക്കുന്ന പദാര്‍ത്ഥങ്ങള്‍ (ഓസോണ്‍ ഡിപ്ലേറ്റിംഗ് സബ്‌സ്റ്റന്‍സ്-ഒ.ഡി.എസ്) ആണെന്നു കണ്ടെത്തിയിരിക്കുകയാണ് പുതിയ പഠനം. നേച്ചര്‍ ക്ലൈമറ്റ് ചേഞ്ച് ജേര്‍ണലില്‍ പ്രസിദ്ധീകരിച്ച കൊളംബിയ യൂണിവേഴ്‌സിറ്റിയിലെ പ്രൊഫ. എം എല്‍ പോള്‍വാനിയുടെ നേതൃത്വത്തിലുള്ള പഠനത്തിലാണ് ഈ കണ്ടെത്തല്‍. 

Add Asianetnews as a Preferred SourcegooglePreferred

ഓസോണ്‍ പാളികളെ തകര്‍ക്കാന്‍ കഴിവുള്ള ക്ലോറിന്‍ അല്ലെങ്കില്‍ ബ്രോമിന്‍ അടങ്ങിയ ഹാലോജന്‍ വാതകങ്ങളാണ് ഓസോണ്‍-ഡിപ്ലേറ്റിംഗ് സബ്സ്റ്റന്‍സ് (ഒ.ഡി.എസ്). മോണ്‍ട്രിയല്‍ പ്രോട്ടോകോള്‍ അനുസരിച്ചു നിയന്ത്രിച്ചിരുന്ന വാതകങ്ങളാണിത്. കാര്‍ബണ്‍ മെഥൈല്‍ ക്ലോറൈഡ്, ബ്രോമൈഡ്, ഹാലോണുകള്‍, ക്ലോറോഫ്‌ലൂറോ കാര്‍ബണുകള്‍ (സി.എഫ്.സി), ഹൈഡ്രോ ക്ലോറോ ഫ്‌ലൂറോ കാര്‍ബണുകള്‍ (എച്ച്.സി.എഫ്.സി) തുടങ്ങിയവയെല്ലാം ഓസോണ്‍ പാളി തകര്‍ക്കാന്‍ കഴിവുള്ള വാതകങ്ങളാണ്. 

ഈ പഠനം സ്ഥിതീകരിക്കുന്നത് സ്ട്രാറ്റോസ്‌ഫെറിക് ഓസോണ്‍ പാളിയെ ക്ഷയിപ്പിക്കുന്നതിനു പുറമേ (പ്രത്യേകിച്ച് ദക്ഷിണധ്രുവത്തിന് മുകളിലായി), ഈ അപകടകാരികളായ ഓസോണ്‍ ക്ഷയിപ്പിക്കുന്ന പദാര്‍ത്ഥങ്ങള്‍ ആഗോള കാലാവസ്ഥാ വ്യവസ്ഥയിലെ വ്യതിയാനങ്ങളിലും പ്രധാന പങ്കു വഹിക്കുന്നുണ്ട് എന്നാണ്. ഇത്തരം പദാര്‍ത്ഥങ്ങള്‍ ഏറ്റവുമധികം പുറംതള്ളിയ കാലഘട്ടമായ 1955-2005 കേന്ദ്രീകരിച്ചാണ് ആണ് ഈ പഠനം നടത്തിയത്. ഈ കാലഘട്ടത്തിലെ ആര്‍ട്ടിക് സമുദ്രത്തിലെ താപനില വര്‍ധനവിന്റെ പകുതിയും ഇവ മൂലമാണ് എന്നാണ് പഠനം വിലയിരുത്തുന്നത്. 

ഇവ വര്‍ദ്ധിക്കാതെ സ്ഥായിയായി നിലനിര്‍ത്തി മോഡല്‍ പരീക്ഷണങ്ങള്‍ നടത്തിയപ്പോള്‍, ആര്‍ട്ടിക് ഉപരിതല താപനില വര്‍ദ്ധനവും മഞ്ഞുരുകലും ഒഡിഎസ് വര്‍ദ്ധിക്കാന്‍ അനുവദിച്ച പരീക്ഷണങ്ങളെ അപേക്ഷിച്ചു പകുതിയാണെന്ന് പഠനം തെളിയിക്കുന്നു. ആര്‍ട്ടിക് പ്രദേശത്ത് ഇത്തരം വാതകങ്ങളുടെ വലിയ സ്വാധീനം പ്രധാനമായും സംഭവിക്കുന്നത് ഓസോണ്‍ നഷ്ടം മൂലമുണ്ടാകുന്ന താപനത്തിലൂടെയല്ല മറിച്ചു നേരിട്ടുള്ള റേഡിയേറ്റീവ് താപനത്തിലൂടെയാണന്നാണ് പഠനത്തില്‍ പറയുന്നത്. 

ഈ പഠനം സമീപകാല ആര്‍ട്ടിക് താപനത്തിന് പിന്നില്‍ മറഞ്ഞിരുന്ന ഒഡിഎസ് എന്ന വില്ലന്റെ സംഭാവനകളെ വെളിച്ചത്ത് കൊണ്ടുവരുന്നു. ഇത്തരം വാതകങ്ങള്‍ നിയന്ത്രണ വിധേയമാക്കാന്‍ ഉണ്ടാക്കിയ 'മോണ്‍ട്രിയല്‍ പ്രോട്ടോക്കോളിന്റെ' പ്രധാന്യം എത്രമാത്രമാണ് എന്ന് പഠനം വെളിപ്പെടുത്തുന്നു.